注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人委托除外)。
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检测项目
1. 材料特性分析:硅片电阻率、氧含量、碳含量、晶体缺陷(如位错、层错)、外延层厚度与均匀性、金属薄膜成分与厚度、介质膜介电常数与击穿场强、光刻胶特性等。
2. 表面与形貌检测:表面颗粒污染、表面粗糙度、台阶高度、关键尺寸(如线宽、接触孔直径)、套刻精度、图形缺陷(如桥接、断开、颗粒)、化学机械抛光后表面平整度等。
3. 薄膜特性测试:薄膜厚度(二氧化硅、氮化硅、多晶硅、金属等)、折射率、消光系数、应力、密度、台阶覆盖率、附着强度、孔隙率等。
4. 电学参数测试:晶体管阈值电压、饱和电流、跨导、亚阈值摆幅、关态漏电流、接触电阻、方块电阻、互连线电阻电容、栅氧完整性(时间依赖介质击穿、偏压温度不稳定性)、结深与掺杂浓度等。
5. 结构缺陷与失效分析:晶体原生缺陷、工艺诱导缺陷(如滑移位错、应力缺陷)、金属互连线电迁移、应力迁移、介电层击穿、闩锁效应、静电放电损伤、热载流子注入效应等。
6. 化学成分与污染分析:体材料与薄膜中的杂质元素(重金属、碱金属等)、表面有机污染物、无机残留物、可动离子沾污(如钠、钾)、气相分解沉积副产物、刻蚀残留物等。
7. 可靠性测试:高温工作寿命测试、高温高湿偏压测试、温度循环测试、热冲击测试、高压蒸煮测试、高温存储测试、电迁移测试、负偏压温度不稳定性测试等。
8. 封装测试:封装体内部空洞、芯片粘结强度、引线键合拉力与剪力、焊球剪切力、封装密封性、翘曲度、热阻、在电路测试、最终功能测试等。
9. 微观结构与成分成像:晶体管横截面结构、栅极堆叠细节、互连结构、接触孔形貌、元素面分布与线扫描、相组成分析、晶体取向等。
10. 光学与光电特性:光致发光谱、电致发光谱、反射谱、椭圆偏振参数、荧光寿命、载流子寿命、缺陷能级等(针对光电器件及材料)。
11. 机械性能测试:薄膜硬度、杨氏模量、附着力、断裂韧性、晶圆弯曲强度、封装材料热机械性能等。
12. 洁净度与微污染控制:洁净室空气中颗粒物浓度与尺寸分布、超纯水中总有机碳与颗粒、工艺气体中杂质含量、化学品纯度等。
检测范围
1. 半导体衬底材料:硅单晶抛光片、外延片、绝缘体上硅、化合物半导体衬底(如砷化镓、碳化硅、氮化镓)、蓝宝石衬底等。
2. 前道制造工艺材料:光刻胶、抗反射涂层、旋涂玻璃、化学气相沉积前驱体、物理气相沉积靶材、蚀刻气体与液体、化学机械抛光浆料、清洗液等。
3. 晶圆制造过程晶圆:图形化前后的晶圆、薄膜沉积后晶圆、离子注入后晶圆、刻蚀后晶圆、化学机械抛光后晶圆等,用于在线工艺监控与缺陷检查。
4. 半导体器件与芯片:已完成制造的裸芯片,包括逻辑芯片、存储器、模拟芯片、射频芯片、功率器件、图像传感器、微机电系统等。
5. 封装材料与结构:封装基板、引线框架、塑封料、键合线、焊球、底部填充胶、散热材料、陶瓷封装壳等。
6. 封装后成品:各种封裝形式的集成电路(如球栅阵列、芯片尺寸封装、四方扁平无引线封装、小外形封装等)、分立器件、光电子器件模块等。
7. 工艺设备与腔体部件:反应腔内壁、气体输送管路、喷淋头、承载盘、石英件等,用于评估其表面状态与可能带来的污染。
8. 厂务设施与介质:超纯水、工艺气体(氮气、氩气、氧气等)、大宗气体、化学品输送系统、洁净室环境等。
9. 失效分析样品:在测试或使用中功能异常、性能退化或完全失效的半导体器件,用于定位失效点与机理分析。
10. 研发阶段新材料与结构:新型高介电常数栅介质、金属栅、新型互连材料(如钴、钌)、二维材料、新型存储材料、异质集成结构等。
11. 功率电子模块:绝缘栅双极型晶体管模块、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管模块等,包含芯片、衬板、键合、封装等整体评估。
12. 微机电系统与传感器:加速度计、陀螺仪、压力传感器、麦克风等,涵盖其机械结构、电学特性及可靠性。
检测设备
1. 扫描电子显微镜:高分辨率表面形貌观察、能谱仪进行元素成分定性半定量分析、电子背散射衍射分析晶体结构。
2. 透射电子显微镜:原子尺度的晶体结构成像、缺陷观察、成分分析(配合能谱仪)、电子能量损失谱分析元素化学态。
3. 原子力显微镜:三维表面形貌纳米级测量、表面粗糙度、微观力学性能(如模量、黏附力) mapping。
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4. 二次离子质谱仪:
材料极表面(几个纳米)到深层(微米级)的元素及其同位素分布分析,灵敏度极高,用于掺杂与污染分析。
5. 辉光放电质谱仪:块体材料中痕量及超痕量杂质元素的定量分析,深度剖析能力较弱但体分析灵敏度高。
6. X射线光电子能谱仪:材料表面(约10纳米内)元素组成、化学态、化合价及元素定量分析。
7. 四探针电阻测试仪/扩展电阻探针:测量硅片电阻率、薄层电阻、绘制电阻率分布图。
8. 椭圆偏振仪/光谱椭圆偏振仪:非接触、无损测量薄膜厚度、光学常数(折射率n、消光系数k)。
9. X射线衍射仪:分析材料晶体结构、晶格常数、结晶度、应力、相组成、织构等。
10. 聚焦离子束系统:用于制备透射电子显微镜等所需的高质量横截面样品,也可进行局部电路修改与沉积。
11. 晶圆缺陷检测与复查系统:包括明场/暗场光学检测、电子束检测、光致发光检测等,用于快速、大面积扫描晶圆表面缺陷并分类。
12. 参数测试系统:用于半导体器件直流与低频交流参数测试,如电流-电压特性、电容-电压特性等。
13. 时间分辨荧光光谱仪/光致发光谱仪:分析半导体材料的光学性质、缺陷态、载流子复合动力学等。
14. 热重-差热分析仪:分析材料在程序控温下的质量变化与热效应,用于评估材料热稳定性、组分等。
15. 气相色谱-质谱联用仪/离子色谱仪:分析工艺化学品、气体、清洗液中的有机与无机杂质成分。
16. 激光扫描共聚焦显微镜:用于三维形貌测量、表面粗糙度分析、薄膜厚度测量(透明膜)及荧光成像。
相关测试发展前景与展望
检测技术研究院
📝 报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
⏳ 检测周期:7~15工作日,可加急。
🏅 资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS/ISO资质报告。
📏 标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
🔬 非标测试:支持定制化试验方案。